RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Ученые записки Ереванского государственного университета, серия Физические и Математические науки // Архив

Уч. записки ЕГУ, сер. Физика и Математика, 1998, выпуск 1, страницы 41–46 (Mi uzeru652)

Физика

Эффект Франца-Келдыша в тонкой полупроводниковой проволоке типа $A^3B^5$

A. С. Чиркинян

Ереванский государственный университет

Аннотация: Исследовано электропоглощение света в тонкой размерно-квантовой проволоке узкозонного полупроводника типа $A^3B^5$. Показано, что влияние непараболичности закона дисперсии носителей заряда и размерного квантования сводится к изменению степенной зависимости коэффициента поглощения света от величины приложенного электрического поля, а также от дефицита энергии.

Ключевые слова: электропоглощение света, закон дисперсии носителей заряда, размерноe квантованиe.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 19.03.1998
Принята в печать: 14.08.1998



© МИАН, 2024