Эффекты насыщения нелинейности лазерного излучения в полупроводниках

Рассматривается самовоздействие лазерного пучка в полупроводниковой среде. Показано, что учет насыщения нелинейности, которое обусловлено в основном изменением концентрация неравновесных свободных носителей, приводит к возникновению своеобразного волноводного режима. Рассчитаны основные параметры самовоздействия в среде с линейным поглощением (усилением). В частности, в реальных условиях для полупроводников группы $A_3B_5$ на длинах порядка нескольких миллиметров возможно 20-кратное сужение пучка.