Фоточувствительные структуры на основе кремния, легированного селеном

Исследовались фотоэлектрические свойства пороговых фоторезисторов и $p^+-n-n^+$ инжекционных фотодиодов на основе Si<Se>. Рассмотрено влияние освещения из области примесного поглощения на вольтамперные и спектральные характеристики приборов.