Экситоны в полупроводниках с узкой запрещенной зоной

Рассматриваются экситонные состояния в полупроводниках с узкой запрещенной зоной, в которых для носителей заряда имеет место кейновский закон дисперсии. Вычисляются волновые функции и исследуется энергетический спектр экситона, образованного электроном и дыркой с кейновским законом дисперсии. Полученные результаты сопоставляются с энергетическим спектром экситона, подчиняющегося стандартному параболическому закону дисперсии, оценивается расщепление уровней энергии.