Исследование неоднородностей в компенсированном кремнии методом сканирования лазерным лучом

Использован метод сканирования поверхности полупроводника лазерным лучом. Путем регистрации наведенного тока определены величина и характер неоднородностей компенсированного атомами серы кремния. Экспериментальные результаты показали наличие корреляционной связи между распределением неоднородностей и долговременной релаксацией.