Двухфотонное возбуждение и особенности регистрации фемтосекундного фотонного эха в пленках оксида цинка наноразмерной толщины

В работе сообщается об экспериментах по двухфотонному возбуждению фемтосекундного сигнала первичного фотонного эха в полупроводниковой пленке оксида цинка наноразмерной толщины (100, 600 и 800 нм) на квантовом переходе, соответствующем 400 нм, при комнатной температуре. Фотонное эхо наблюдалось на свободных экситонах. Регистрация эхо-сигнала, частично ослабленного за счет рассеяния на оптических фононах, осуществлялась на длине волны 800–840 нм. Обнаружен наноптический эффект снижения значения времени необратимой поперечной релаксации среды $T_2$ с уменьшением толщины пленки. Установленный факт связан, во-первых, со структурной особенностью исследуемых пленок и, во-вторых, с уменьшением интенсивности продольных взаимодействий возбужденных частиц по мере уменьшения толщины пленки.