А. В. Леонтьев, К. В. Иванин, В. С. Лобков, В. В. Самарцев, Г. М. Сафиуллин, “Термализация “горячих” носителей и динамика населенности уровня ловушек в кристалле $\mathrm{CdS}$ с фемтосекундным временным разрешением”, Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 2013, том 155, книга 1,страницы 85

Термализация “горячих” носителей и динамика населенности уровня ловушек в кристалле $\mathrm{CdS}$ с фемтосекундным временным разрешением

А. В. Леонтьев, К. В. Иванин, В. С. Лобков, В. В. Самарцев, Г. М. Сафиуллин

Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, г. Казань, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования полупроводникового кристалла $\mathrm{CdS}$ методами фемтосекундной спектроскопии. Установлено, что заселение уровня ловушек производится через двухфотонное возбуждение в зону проводимости. Зарегистрирована динамика спада населенности уровня ловушек с характерным временем 550 пс. Определена длительность вынужденной излучательной рекомбинации, проведена оценка времени взаимодействия носитель-фонон в 20 фс.

Ключевые слова: фемтосекундная спектроскопия, сульфид кадмия, уровень ловушек, двухфотонное возбуждение, термализация.

УДК: 531:530.145+539.2

Поступила в редакцию: 30.03.2011