Фемтосекундные когерентные переходные процессы в полупроводниках и гетероструктурах и возможность создания полупроводникового лазерного рефрижератора

Представлены результаты экспериментов по фемтосекундному четырехволновому смешению в кристалле CdS и в слое двумерного электронного газа на границе гетероперехода GaAs/AlGaAs при комнатной температуре. Определены время фазовой релаксации и значения коэффициента диффузии для спинов и электронов. Особенности кривых спада когерентного отклика позволяют предположить, что причиной дефазировки является экситон-экситонное взаимодействие. Обсуждается концепция лазерного охлаждения полупроводников и гетероструктур.