Исследование нагрева и рекристаллизации в имплантированном кремнии при импульсном световом облучении

В работе предложен и реализован бесконтактный метод исследования динамики нагрева и твердофазной рекристаллизации имплантированных полупроводников непосредственно во время проведения импульсного светового отжига. Данная методика, основанная на регистрации оптических дифракционных сигналов от специальных периодических структур, позволяет с высоким временным разрешением определять такие характеристики, как температура и длительность процесса твердофазной рекристаллизации, время начала плавления ионно-легированного слоя полупроводника.