Аннотация:
Изучены зависимости нанотвердости и фотолюминесценции $F_2$ и $F_{3}^{+}$ центров от глубины в кристаллах LiF, облученных ионами 12 МэВ $^{12}$С, 56
МэВ $^{40}$Ar и 34 МэВ $^{84}$Kr при флюенсах $10^{10}$ − 1015 ион/$см^{2}$ , с использованием
лазерной сканирующей конфокальной микроскопии, травления дислокаций и методом
наноиндентирования. Измерения нанотвердости и данные травления дислокаций показали
значительный эффект упрочненения и повышенную концентрацию дислокаций и других
нанодефектов в области конца ионного пробега с доминирующим вкладом дефектов,
образованных механизмом упругих столкновений. Наблюдаемое затухание интенсивности
люминесценции при высоких флюенсах связано с интенсивным зарождением дислокаций
в качестве ловушек для агрегатных центров окраски. Предложена активирующая роль
локального поля напряжений дислокаций и других протяженных дефектов в эволюции
структуры повреждений.
