Аннотация:
Исследованы нанокластеры ZnO, полученные электрохимическим осаждением (ЭХО) цинка в трековом темплэйте a-SiO$_2$ / Si-n. Структуру SiO$_2$/Si облучали на циклотроне DC-60 ионами Xe 200 МэВ (Ф = 108 ионов/см$^2$) с последующим химическим травлением в водном растворе плавиковой кислоты (HF). Электрохимическое осаждение (ЭХО) Zn в трековом темплэйте проводили в потенциостатическом режиме. Поверхность образцов после осаждения исследовали с помощью сканирующего электронного микроскопа JSM 7500F. Рентгеноструктурный анализ (РСА) проводили с использованием рентгеновского дифрактометра D8 ADVANCE ECO. Согласно данным РСА электроосаждение цинка в трековом темплэйте a-SiO$_2$/Si-n привело к образованию нанокристаллов ZnO с кристаллической структурой цинковой обманки (ZB) Исследованы вольт-амперные характеристики и фотолюминесценция образцов SiO$_2$/Si с нанокристаллами ZnO ZB. Структуры спектров фотолюминесценции для ZnO ZB и ZnO WS (кристаллическая структура - вюрцит) совпадают, но соотношение интенсивностей полос люминесценции различно. Сравнение интенсивностей полос показало, что кислородные вакансии являются доминирующими дефектами в полученной структуре ZnO ZB.
