Аннотация:
В данной работе приведены результаты исследования процессов образования и развития радиационных дефектов в материалах на основе оксида бериллия под воздействием облучения ионами Ni$^{12+}$ с целью изучения возможности применения их в качестве конструкционных материалов ядерных установок. Облучение проводилось на ускорителе ДЦ-60 ионами Ni$^{12+}$ с энергией 100 МэВ и флюенсом облучения 10$^{13}$-10$^{14}$ ион/см$^2$. Показано, что при малых значениях флюенса облучения, для которых характерно образование одиночных дефектов в структуре, величина параметра кристаллической решетки изменяется незначительно. Увеличение флюенса ионов Ni$^{12+}$ обусловливает резкое изменение значений параметра решетки и среднеквадратичного смещения атомов из узлов решетки, вызванное значительным увеличением концентрации искажений в структуре. Установлен экспоненциальный характер изменения величины среднеквадратичных смещений атомов, что объясняется образованием областей перекрывания дефектов при флюенсе облучения 10$^{14}$ ион/см$^2$ с последующим возникновением в кристаллической структуре огромного количества мигрирующих дефектов, индуцирующих искажение и деформацию структуры вследствие разрыва химических связей.
