К вопросу об определении порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков в кристаллическом Si$_3$N$_4$

Настоящая работа посвящена определению порогового уровня ионизационных потерь энергии образования латентных треков $S_{et}$ в поликристаллическом нитриде кремния на основе анализа данных по радиационно-стимулированной аморфизации материала. Образцы Si$_3$N$_4$ (Al) были облучены ионами Xe с энергиями 167 МэВ и 220 МэВ высокой плотности (6$\times$10$^{14}$ и 2$\times$10$^{14}$ см$^{-2}$, соответственно). На основе ПЭМ анализа структуры этих образцов в геометрии поперечного сечения определена нижняя граница $S_{et}$ на уровне ˜ 6,7 кэВ/нм.