Численное исследование устойчивости конечно-разностных схем с весами при моделировании переходных процессов в диодных силовых полупроводниковых структурах

Представлены результаты исследований устойчивости конечно-разностных схем с весами, используемых при численном моделировании переходных процессов в диодных силовых полупроводниковых структурах в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении с учетом паразитных и нагрузочных элементов. Показано, что при весе $0.5<\omega<0.7$ конечно-разностная схема для уравнений непрерывности в широком диапазоне значений шага по времени может быть неустойчивой с колебательным поведением решения.