Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках

В работе рассматривается идеология приближенного моделирования сложного физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал, при движении по нему волны окисления, а также реализующий эту идеологию компьютерный алгоритм. Приводятся примеры расчетов сегрегации бора, мышьяка, фосфора и сурьмы в кремнии на границе “кремний/двуокись кремния”.