Влияние поверхностной кинетики на механизм роста кристаллов

На основании изучения процесса присоединения зародышей к поверхности растущего кристалла получены новые законы движения фронта кристаллизации, описывающие переход от нормального к послойному механизму роста при изменении переохлаждения поверхности кристалла.
Ил. 2. Библиогр. 7.