Механизмы дефектообразования при гетероэпитаксии феррошпинелей

Рассматривается возможность применения концепции дислокаций несоответствия при релаксации гетероэпитаксиальных напряжений в тонких пленках феррошпинелей. Показано, что в пленках магний-марганцевой феррошпинели, при эпитаксии на оксид магния, реализуются три механизма дефектообразования: скольжение дислокаций, наследуемых растущим слоем из подложки; образование малоугловых границ с линейной плотностью $\sim 10^5\textrm{м}^{-1}$, образование дислокаций несоответствия из дислокационных петель. В пленках $\textrm{FeFe}_2\textrm{O}_4$, $\textrm{NiFe}_2\textrm{O}_4$, $\textrm{Li}_{0{,}5}\textrm{Fe}_{2{,}5}\textrm{O}_4$ реализуются условия для релаксации напряжений несоответствия за счет возникновения дефектов упаковки, частичных дислокаций, двойникования.