В. И. Чепурнов, К. П. Сивакова, А. А. Ермошкин, “Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков”, Вестн. СамГУ. Естественнонаучн. сер., 2011, выпуск 2(83),страницы 179

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика

Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SiC/Si, полученной по диффузионной технологии для химических датчиков

В. И. Чепурнов^a, К. П. Сивакова^a, А. А. Ермошкин^b

^a Кафедра полупроводниковой электроники и нанотехнологий Самарского государственного университета, 443011, Российская Федерация, г. Самара, ул. Акад. Павлова, 1
^b Кафедра металловедения, порошковой металлургии Самарского государственного технического университета, 443100, Российская Федерация, г. Самара, ул. Молодогвардейская, 244

Аннотация: Гетероэпитаксиальные пленки карбида кремния на кремниевой подложке являются перспективным материалом высокотемпературной электроники. В данной работе выполнен анализ точечного дефектообразования в гомогенной фазе $\beta$-$SiC$, формирующейся за счет матрицы кремния, углеводородов газовой фазы и легирующей примеси Ga в интервале температур 1360–1380$\,^\circ\!$C при нормальном давлении.

Ключевые слова: наноточечное дефектообразование, полупроводниковый химический газовый датчик, por-SiC/Si, диффузионная технология.

УДК: 621.382

Поступила в редакцию: 18.11.2010
Исправленный вариант: 18.11.2010