Аннотация:
Комплексная диэлектрическая проницаемость содержит информацию о структуре материала, в том числе о качестве его изготовления. Измерение и анализ диэлектрической проницаемости могут служить методом как научного исследования, так и диагностики материалов. С целью обработки диэлектрометрических измерений в реальном масштабе времени предложен оригинальный метод для вычисления действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости, который может быть реализован в компактном вычислительном устройстве, например, включенном в систему управления технологическим процессом. Указанный метод основан на применении квадратурных формул для расчета интеграла. Действительная и мнимая части диэлектрической проницаемости вычисляются для значений частоты, расположенных в геометрической прогрессии. Оптические свойства материала непосредственно связаны с диэлектрической проницаемостью. На основании этой связи создана математическая модель для получения показателей поглощения и преломления тонких пленок на прозрачной подложке. Разработан двухэтапный алгоритм решения некорректной обратной задачи определения оптических свойств и толщины тонких пленок методом наискорейшего спуска. Предложен способ выбора начальных значений параметров. Решения более устойчивы при начальных значениях, отвечающих минимальному пропусканию в области коротких длин волн, когда интерференционные явления играют незначительную роль. Проведено исследование оптических свойств тонких пленок эффективных эмиттеров, представляющих интерес для практического применения. Библиогр. 19 назв. Ил. 3.