Методы матриц переноса и рассеяния для численного определения коэффициентов отражения и преломления тонкопленочных материалов

Проведен анализ методов матриц переноса и рассеяния для определения коэффициентов отражения и пропускания электромагнитных волн. Изучались как однослойные, так и многослойные структуры. Рассмотрены полупроводниковые материалы (Si, Ge, GaAs), а также благородные металлы (Ag, Au, Cu). Многослойный образец был представлен слоистой структурой из Si. В численных расчетах использованы следующие допущения: однородность, изотропность, падение волны под прямым углом. Получены сравнительные графики для методов матриц переноса и рассеяния. Определена зависимость коэффициентов отражения и пропускания для длин волн $\lambda= 2$–$20$ мкм и $\lambda= 0.2067$–$0.8267$ мкм.