RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Вестник Томского государственного университета. Математика и механика // Архив

Вестн. Томск. гос. ун-та. Матем. и мех., 2017, номер 50, страницы 79–89 (Mi vtgu620)

Эта публикация цитируется в 1 статье

МЕХАНИКА

Численный анализ кинетики химических реакций в аргон-силановой плазме тлеющего разряда

А. А. Ляхов, В. И. Струнин

Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского

Аннотация: Путем численного решения уравнений диффузии для нейтральных компонентов с учетом протекания химических реакций в газовой фазе проведено моделирование состава аргон-силановой плазмы тлеющего разряда. Анализируется вклад наиболее значимых химических реакций в кинетику образования и гибели различных компонентов плазмы. Исследуется кинетика реагентов в зависимости от времени пребывания рабочего газа в разрядной зоне. Обсуждается вопрос о количестве компонентов, включаемых в модель. Показано, что для интервалов времени $t\leqslant 10^{-2}$ с компоненты Si$_n$H$_x$ ($n\geqslant 3$) не существенны для моделирования химической кинетики пленкообразующих радикалов.

Ключевые слова: силановая плазма, процессы переноса в химически активной плазме, аморфный кремний.

УДК: 533.92

Статья поступила: 06.07.2017

DOI: 10.17223/19988621/50/7



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024