|
ПЕРСОНАЛИИ |
Кузнецов Пётр Иванович |
кандидат химических наук |
MOCVD рост эпитаксиальных пленок $A_2 B_6$ и $A_3 B_5$.
Технология MOCVD роста эпитаксиальных структур со сверхрешетками и квантовыми точками на основе полупроводников $A_2 B_6$.
Химический анализ.