Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Низкотемпературные обработки поверхности CdHgTe методом PE-ALD перед осаждением HfO$_2$
Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024), 120–125
-
Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO$_2$
Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 7–10
-
Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом
Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 915–921
-
Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях $i$-InGaAs
Письма в ЖТФ, 48:21 (2022), 40–42
-
Исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе CdHgTe и HfO$_2$
Письма в ЖТФ, 48:19 (2022), 16–19
© , 2025