Осико Вячеслав Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование оптических центров ионов Yb$^{3+}$ в кристаллах твердых растворов фторидов CaF$_{2}$–SrF$_{2}$–YbF$_{3}$
   
   Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020),  607–611
2. Влияние валентного состояния ионов Ce на фазовую стабильность и механические свойства кристаллов твердых растворов на основе ZrO$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 59:10 (2017),  1914–1919
3. Изменение механизма проводимости в кристаллах на основе ZrO$_{2}$ в зависимости от концентрации стабилизирующей примеси Y$_{2}$O$_{3}$
   
   Письма в ЖТФ, 43:6 (2017),  23–30
4. Селективная лазерная спектроскопия кристалла SrF₂ легированного ионами Pr³⁺
   
   Квантовая электроника, 46:1 (2016),  68–72
5. Фторидные планарные волноводы для усилителей и лазеров
   
   Квантовая электроника, 45:8 (2015),  717–719
6. Ориентированное сращивание частиц: 100 лет исследований неклассического механизма роста кристаллов
   
   Усп. хим., 83:12 (2014),  1204–1222
7. Керамические планарные волноводные структуры для усилителей и лазеров
   
   Квантовая электроника, 43:1 (2013),  60–62
8. Структура, спектрально-люминесцентные и генерационные свойства наноструктурированной керамики CaF₂:Tm
   
   Квантовая электроника, 42:9 (2012),  853–857
9. Наноструктурированная керамика CaF₂:Tm — потенциальная активная среда для двухмикронных лазеров
   
   Квантовая электроника, 41:3 (2011),  193–197
10. Эффективное преобразование излучения Nd:YAG-лазера в безопасный для глаз спектральный диапазон при вынужденном комбинационном рассеянии в кристалле BaWO₄
    
    Квантовая электроника, 40:8 (2010),  710–715
11. Качественное улучшение лазерных свойств кристаллов PbGa₂S₄:Dy³⁺ при их соактивации ионами Na⁺
    
    Квантовая электроника, 40:7 (2010),  596–598
12. Extra-strong wear-resistant materials based on nanostructured crystals of partially stabilized zirconium dioxide
    
    Mendeleev Commun., 19:3 (2009),  117–122
13. Измерение оптического поглощения образцов нанокерамики из CaF₂
    
    Квантовая электроника, 39:10 (2009),  943–947
14. Технологии перфорации близкорасположенных микронных отверстий с использованием неодимовых LiF:F₂^--лазеров
    
    Квантовая электроника, 39:4 (2009),  385–387
15. Исследование дифракционно-связанной генерации излучения в наборе лазеров с самонакачивающимися ОВФ-зеркалами на решетках усиления при близкодействующей связи
    
    Квантовая электроника, 39:1 (2009),  31–35
16. Преобразование люминесценции лазерных красителей в вынужденное излучение в опаловой матрице
    
    Квантовая электроника, 38:7 (2008),  665–669
17. Лазерная генерация наноструктурированной фторидной керамики LiF с F^-₂-центрами окраски при диодной накачке
    
    Квантовая электроника, 37:11 (2007),  989–990
18. Эффективность заселения уровня ⁴I_13/2 иона Er³⁺ и возможность генерации излучения с длиной волны 1.5 мкм в ИАГ:Yb, Er при высоких температурах
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  971–973
19. Эффективная генерация монокристаллов твердых растворов CaF₂–SrF₂:Yb³⁺ при диодной лазерной накачке
    
    Квантовая электроника, 37:10 (2007),  934–937
20. Динамика генерации сфазированной трехканальной голографической Nd:YAG лазерной системы
    
    Квантовая электроника, 37:3 (2007),  255–258
21. Исследование фазовой самосинхронизации импульсного трехканального голографического Nd:YAG-лазера на решетках усиления
    
    Квантовая электроника, 37:2 (2007),  143–146
22. Лазерная прошивка сверхглубоких микронных отверстий в различных материалах при программируемом управлении параметрами лазерной генерации
    
    Квантовая электроника, 37:1 (2007),  99–102
23. Сравнение оптических характеристик монокристалла и оптической керамики CaF₂
    
    Квантовая электроника, 37:1 (2007),  27–28
24. Генерационные свойства ВКР-активных кристаллов молибдатов и вольфраматов, активированных ионами Nd³⁺ при селективной оптической накачке
    
    Квантовая электроника, 36:8 (2006),  720–726
25. Активные лазерные среды на основе кристаллов фианитов
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  601–608
26. Спектрально-кинетические свойства кристаллов Er³⁺, Yb³⁺:Y₃Al₅O₁₂ при высоких температурах
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  595–600
27. Непрерывная генерация с плавной перестройкой длины волны вблизи 2.75 мкм на кристаллах SrF₂:Er³⁺ и CaF₂:Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 36:7 (2006),  591–594
28. Иттербиевый волоконный лазер на основе световода с сердцевиной из высококонцентрированного Yb³⁺-стекла
    
    Квантовая электроника, 36:3 (2006),  189–191
29. Неорганические нанофториды и нанокомпозиты на их основе
    
    Усп. хим., 75:12 (2006),  1193–1211
30. Новые материалы для ВКР-лазеров
    
    Усп. хим., 75:10 (2006),  939–955
31. Усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F₂^- при синхронной пико- и наносекундной лазерной накачке
    
    Квантовая электроника, 35:4 (2005),  344–346
32. ВКР-преобразование излучения с высокой средней мощностью в кристалле BaWO₄
    
    Квантовая электроника, 34:7 (2004),  649–651
33. Импульсные Cr²⁺:ZnS- и Cr²⁺:ZnSe-лазеры среднего ИК диапазона с накачкой неодимовыми лазерами с модуляцией добротности и сдвигом частоты излучения с помощью ВКР
    
    Квантовая электроника, 34:1 (2004),  8–14
34. Фазовая синхронизация оптически связанных лазеров на решетках усиления в активной среде
    
    Квантовая электроника, 33:8 (2003),  659–670
35. Вынужденное комбинационное рассеяние пикосекундных импульсов в кристаллах SrMoO₄ и Ca₃(VO₄)₂
    
    Квантовая электроника, 33:4 (2003),  331–334
36. Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах щелочноземельных вольфраматов
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  55–59
37. Миниатюрные диодно-накачиваемые лазеры на иттербий-эрбиевых стеклах с модуляцией добротности оптическими затворами на нарушенном полном внутреннем отражении
    
    Квантовая электроника, 30:1 (2000),  10–12
38. Фоторефрактивные свойства кристаллов ниобата бария-стронция, легированных кобальтом
    
    Квантовая электроника, 27:2 (1999),  170–174
39. Эффективный просветляющийся фильтр на основе кристаллов MgAl₂O₄:Co²⁺ для модуляции добротности лазеров с λ = 1.54 мкм на эрбиевом стекле
    
    Квантовая электроника, 26:3 (1999),  189–190
40. Спектроскопия поглощения из возбужденного состояния кристаллов SrF₂:Nd³⁺ в спектральном диапазоне длин волн 1280 — 1320 нм
    
    Квантовая электроника, 26:2 (1999),  117–121
41. Модуляция добротности мощного твердотельного лазера с помощью быстро сканируемого интерферометра Фабри — Перо
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  633–637
42. Хаpактеp темпеpатуpной зависимости КПД генерации эpбиевых лазеpных стекол и механизм влияния сенсибилизатоpов на него
    
    Квантовая электроника, 25:4 (1998),  324–326
43. Квазинепрерывная генерация LiF-лазера c $F_2^-$-центрами окраски
    
    Квантовая электроника, 24:9 (1997),  779–780
44. Эффективный лазер трехмикронного диапазона на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺
    
    Квантовая электроника, 23:9 (1996),  791–792
45. Лазер на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺ с плавно перестраиваемой длиной волны излучения в диапазоне 2.84 — 3.05 мкм
    
    Квантовая электроника, 23:7 (1996),  579–580
46. Кристаллы YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ln³⁺ как активные среды твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  433–437
47. Сенсибилизированные эрбием стекла для празеодимовых лазерных волоконных усилителей на λ = 1.3 мкм
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  109–111
48. Стекла для празеодимовых лазерных усилителей, сенсибилизированные неодимом и иттербием
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  103–108
49. Лазерная генерация ортосиликата иттрия с хромом (IV) при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 21:3 (1994),  216
50. Исследование генерационных свойств кристаллов кальций-ниобий-галлиевых и кальций-литий-ниобий-галлиевых гранатов, содержащих неодим, на длинах волн 1,06 и 1,33 мкм
    
    Квантовая электроника, 20:6 (1993),  574–576
51. Эффективная генерация лазерного излучения в области 1,4 мкм в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂:Cr,Ce,Nd
    
    Квантовая электроника, 20:6 (1993),  569–573
52. Каскадная генерация на ионах Но³⁺ в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺
    
    Квантовая электроника, 20:4 (1993),  366–370
53. Контроль направлений распространения расплава на начальном этапе прямого ВЧ плавления в холодном контейнере
    
    ЖТФ, 62:8 (1992),  180–186
54. Кристалл Yb₃Sc₂Ga₃O₁₂:Cr³⁺, Но³⁺ – перспективный материал для генерации по каскадной схеме на ионах Но³⁺
    
    Квантовая электроника, 19:9 (1992),  842–844
55. Высокоэффективные лазеры на эрбиевом стекле с модуляцией добротности затвором на основе нарушенного полного внутреннего отражения
    
    Квантовая электроника, 19:6 (1992),  544–547
56. Генерационные исследования новых неодимовых лазерных стекол
    
    Квантовая электроника, 18:11 (1991),  1303–1305
57. Генерационные исследования новых эрбиевых лазерных стекол
    
    Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1063–1065
58. Лазеры на эрбиевом стекле с пассивной модуляцией добротности резонатора эрбийсодержащим элементом
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  855–858
59. Эффективный лазер на кристалле гадолиний-галлиевого граната с неодимом
    
    Квантовая электроника, 18:7 (1991),  799–802
60. Генерационные свойства кристалла гадолиний-галлиевого граната с неодимом на переходе ⁴F_3/2–⁴I_13/2 (λ = 1,33 мкм)
    
    Квантовая электроника, 18:3 (1991),  298–300
61. Эффективный лазер с прямоугольным активным элементом
    
    Квантовая электроника, 18:3 (1991),  296–297
62. Лазер на кристалле эрбий-гадолиний-галлиевого граната
    
    Квантовая электроника, 18:2 (1991),  179–181
63. Формирование микрозональной структуры при росте тугоплавких оксидных кристаллов
    
    Докл. АН СССР, 313:3 (1990),  590–593
64. Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  264–270
65. Кристаллы кальций-литий-ниобий-галлиевого граната с ионами Cr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺ – новая активная среда для двухмикронных лазеров
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1282–1283
66. Сенсибилизация люминесценции Ег³⁺ в кристаллах (YЕr)₃Аl₅O₁₂Сr³⁺ и генерация на длине волны 2,7 мкм
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1007–1009
67. Новые способы пассивной модуляции добротности лазеров на эрбиевом стекле
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  959
68. Кристаллы кальций-литий-ниобий-галлиевого граната, активированные Er³⁺ и Сr³⁺, – новая активная среда для лазеров трехмикронного диапазона
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  721–722
69. Мощный импульсно-периодический твердотельный лазер на неодимовом стекле с активным элементом пластинчатой формы
    
    Квантовая электроника, 17:4 (1990),  398–403
70. Влияние химического состава на теплофизические характеристики галлиевых гранатов
    
    Докл. АН СССР, 309:1 (1989),  92–96
71. Особенности электронного строения гадолиний-скандий-галлиевого граната
    
    Докл. АН СССР, 308:5 (1989),  1115–1118
72. Радиационная стойкость редкоземельных скандий-алюминиевых гранатов
    
    Докл. АН СССР, 305:3 (1989),  581–583
73. Исследование фазовых превращений в KTiOPO$_{4}$ методом комбинационного рассеяния света
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  150–156
74. Лазер трехмикронного диапазона на ZrO₂–Y₂O₃:Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2421–2423
75. Концентрированные неодимовые фосфатные стекла в малогабаритных импульсно-периодических усилителях
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2400–2404
76. Трехмикронный лазер на кристаллах гадолиний-эрбий-скандий-алюминиевого граната, соактивированных Cr³⁺
    
    Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1785–1786
77. Спектрально-генерационные характеристики монокристаллов CaMoO₄:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 16:6 (1989),  1152–1154
78. Спектроскопические и генерационные свойства кристаллов $\mathrm{Ca}$, $\mathrm{Mg}$, $\mathrm{Zr}$-замещенного гадолиний-галлиевого граната, активированного хромом и неодимом
    
    Докл. АН СССР, 301:1 (1988),  79–83
79. Комбинационное рассеяние света в кристаллах и расплаве кальций-ниобий-галлиевого граната
    
    Докл. АН СССР, 298:3 (1988),  604–607
80. Исследование кристаллизации перегретых расплавов в системе $\mathrm{Sm}_2\mathrm{O}_3$ – $\mathrm{Ga}_2\mathrm{O}_3$ методом комбинационного рассеяния света
    
    Докл. АН СССР, 298:1 (1988),  87–91
81. Комбинационное рассеяние света в твердых растворах со структурой граната
    
    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  512–519
82. Возможности волноводных активных элементов из различных материалов для твердотельных лазеров высоких средних мощностей
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  486–489
83. Спектроскопические и генерационные свойства кальций-ниобий-галлиевого граната с Cr³⁺ и Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  312–317
84. Микроволновая спектроскопия высокотемпературных сверхпроводников
    
    Физика твердого тела, 29:12 (1987),  3710–3713
85. Переходы Co${{}^{2+}\rightleftarrows{}}$Co${}^{3+}$ в кристаллах ZrO$_{2}{-}$Y$_{2}$O$_{3}$ при отжиге в вакууме и на воздухе
    
    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3511–3513
86. Исследование фазовых превращений в ниобате и танталате лития методом комбинационного рассеяния света
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1348–1355
87. Прямое измерение скорости безызлучательной релаксации и спектры люминесценции с уровней ⁴G_7/2, ⁴G_5/2+²G_7/2 и ⁴F_9/2 ионов Nd³⁺ в лазерных кристаллах LaF₃, SrF₂ и YAlO₃
    
    Квантовая электроника, 14:10 (1987),  2021–2023
88. Экспериментальное наблюдение самопереключения излучения в туннельно-связанных оптических волноводах
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1144–1147
89. Исследование УФ-поглощения в кристаллах ГСГГ: $\mathrm{Cr}^{3+}$
    
    Докл. АН СССР, 289:2 (1986),  344–347
90. Акустооптические свойства редкоземельных галлиевых гранатов
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1409–1411
91. Генерация ионов гольмия на переходе⁵I₇→⁵I₈ при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия
    
    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2127–2129
92. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  973–979
93. Пикосекундный лазер на кристалле ГСГГ:Cr, Nd
    
    Квантовая электроника, 13:3 (1986),  655–656
94. Двухпроходовый малогабаритный лазерный усилитель на кристалле ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 13:2 (1986),  412–414
95. Исследование структуры кристаллических и расплавленных германатов методом комбинационного рассеяния света
    
    Докл. АН СССР, 283:6 (1985),  1333–1336
96. Влияние ионов хрома на образование центров окраски в кристаллах со структурой граната
    
    Докл. АН СССР, 282:5 (1985),  1104–1106
97. Усиление моноимпульсов кристаллом ГСГГ – Cr³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2198–2199
98. Сравнительные испытания генерационных характеристик некоторых марок лазерных неодимовых стекол
    
    Квантовая электроника, 12:4 (1985),  694–697
99. Квазикристаллы
    
    Докл. АН СССР, 276:4 (1984),  870–873
100. Комбинационное рассеяние света на расплавах фосфатов щелочных металлов
     
     Докл. АН СССР, 274:3 (1984),  559–561
101. Упругие, фотоупругие и теплофизические характеристики гадолиний-скандий-галлиевого граната
     
     Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1517–1519
102. Влияние состава и термообработки на зарядовые состояния собственных и примесных дефектов в твердых растворах ZrO$_{2}$–Y$_{2}$O$_{3}$
     
     Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1313–1318
103. Управляемое сползание доменных стенок в пленках феррит-гранатов
     
     ЖТФ, 54:12 (1984),  2423–2425
104. Пленки феррит-гранатов с субмикронными ЦМД на подложках самарий-галлиевого граната
     
     Письма в ЖТФ, 10:24 (1984),  1497–1500
105. Пленки (Bi,Tm)$_{3}$(Fe,Ga)$_{5}$O$_{12}$ с высокой скоростью движения доменных стенок
     
     Письма в ЖТФ, 10:13 (1984),  788–792
106. Выращивание монокристаллических пластин сложных оксидных соединений по способу Cтепанова
     
     Докл. АН СССР, 268:1 (1983),  69–72
107. Измерение упругих и фотоупругих констант в гранате $\{$La$_{2}$Nd$_{0.3}$Lu$_{0.7}\}$Lu$_{2}$Ga$_{3}$O$_{12}$
     
     Физика твердого тела, 25:4 (1983),  986–991
108. Генерационные характеристики лазера на гадолиний-скандий-галлиевом гранате, работающего в частотном режиме
     
     Квантовая электроника, 10:10 (1983),  1961–1963
109. Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
     
     Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1916–1919
110. Электронная модель фианитов
     
     Докл. АН СССР, 267:2 (1982),  351–354
111. Активные среды для высокоэффективных неодимовых лазеров с неселективной накачкой
     
     Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2531–2533
112. Спектральный состав излучения лазера на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с модулятором добротности на основе кристаллов LiF($F_2^-$)
     
     Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1842–1843
113. Эффективные перестраиваемые лазеры на основе кристаллов LiF:$F_2^-$
     
     Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1741–1743
114. Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности
     
     Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1536–1542
115. Оптические и генерационные свойства кристаллов ниобата бария-натрия различных составов
     
     Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1491–1493
116. Кинетика безызлучательной релаксации с верхнего лазерного уровня неодима в кристалле Y₃Al₅O₁₂
     
     Квантовая электроника, 9:6 (1982),  1180–1185
117. Эффективные пассивные затворы неодимовых лазеров на основе кристаллов LiF:F₂^–
     
     Квантовая электроника, 9:4 (1982),  837–839
118. Сенсибилизация излучения и ее применение для повышения эффективности активных сред твердотельных лазеров
     
     Квантовая электроника, 9:4 (1982),  681–688
119. Эффективность лазера на Li–Nd–La-фосфатном стекле в диапазоне малых накачек. Свободная генерация
     
     Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1598–1601
120. Применение концентрированного Li–Nd–La-фосфатного стекла в лазерах с модуляцией добротности
     
     Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1595–1598
121. Исследование механизмов взаимодействия ионов хрома и неодима в фосфатных стеклах
     
     Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1442–1450
122. Концентрированные неодимовые лазерные стекла (обзор)
     
     Квантовая электроника, 8:3 (1981),  469–483
123. Перестраиваемый лазер на LiF : $F_2^+$-центpax окраски с голографическим селектором
     
     Квантовая электроника, 8:2 (1981),  419–421
124. Дисперсия вероятностей внутрицентровых безызлучательных переходов в твердых телах
     
     Докл. АН СССР, 254:3 (1980),  593–596
125. Синтез и исследование спектрально-люминесцентных и генерационных свойств кристаллов алюмоборатов, активированных ионами хрома и неодима
     
     Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2105–2111
126. Электрооптические и нелинейно-оптические свойства кислородно-октаэдрических сегнетоэлектриков (обзор)
     
     Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1621–1653
127. Высокоэффективный импульсно-периодический лазер на концентрированном неодимовом фосфатном стекле
     
     Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1120–1122
128. Измерения абсолютного квантового выхода люминесценции неодима в высококонцентрированных стеклах, соактивированных хромом
     
     Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2253–2256
129. Дискриминация неоднородно-уширенных спектров излучения неодима методом резонансного лазерного возбуждения
     
     Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2215–2219
130. Фотоэлектрические и фоторефрактивные свойства кристаллов ниобата бария-стронция, легированных церием
     
     Квантовая электроника, 6:9 (1979),  1993–1999
131. Исследование генерационных характеристик активных элементов из Li–Nd–La-фосфатного стекла
     
     Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1586–1588
132. Безызлучательная передача энергии от ионов Cr³⁺ к ионам Nd³⁺ в высококонцентрированных неодимовых стеклах
     
     Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1583–1585
133. Высококонцентрированные неодимовые лазерные стекла
     
     Докл. АН СССР, 239:3 (1978),  573–575
134. Безызлучательные потери на переходе ⁴I_11/2–⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристаллах Y₃Al₅O₁₂, Gd₃Sc₂Al₃O₁₂, Y₃Ga₅O₁₂, Gd₃Ga₅O₁₂, CaF₂
     
     Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1028–1033
135. Концентрационные зависимости квантового выхода люминесценции в лазерных матрицах, активированных неодимом, и микроскопический подход к их определению
     
     Квантовая электроника, 5:4 (1978),  847–856
136. Генерационные характеристики Li–Nd–La-фосфатного стекла
     
     Квантовая электроника, 5:3 (1978),  686–689
137. Получение высокотемпературных материалов методом прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере
     
     Усп. хим., 47:3 (1978),  385–427
138. Малоинерционный пироэлектрический детектор на основе кристаллов Ba_0.25Sr_0.75Nb₂O₆
     
     Квантовая электроника, 4:9 (1977),  1903–1910
139. Корреляция эффективности кооперативной сенсибилизации люминесценции с интенсивностью релеевского рассеяния
     
     Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1661–1665
140. Исследование безызлучательных потерь и импульсно-периодического режима генерации Li–Nd–La-фосфатного стекла
     
     Квантовая электроника, 4:3 (1977),  688–691
141. Исследование эффекта аномально слабого тушения люминесценции ионов Nd³⁺ в кристаллах La_1–xNd_xP₅O₁₄
     
     Квантовая электроника, 4:2 (1977),  302–309
142. Сечение лазерного перехода ⁴I_11/2 – ⁴I_13/2 иона Er³⁺ в кристалле иттрий-эрбий-алюминиевого граната
     
     Квантовая электроника, 4:1 (1977),  198–201
143. Спектральные и генерационные свойства $(\mathrm{Li}-\mathrm{Nd})$-фосфатного стекла
     
     Докл. АН СССР, 227:1 (1976),  75–77
144. Физико-химические, спектрально-люминесцентные и генерационные исследования фосфатных стекол с высокой концентрацией неодима
     
     Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2243–2247
145. Оптически индуцированное изменение показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах и его использование для создания обратимой голографической памяти (обзор)
     
     Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2101–2126
146. Излучательные и безызлучательные переходы Er³⁺ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах
     
     Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1471–1477
147. Одномодовый лазер на CaF₂:Er³⁺ с модулированной добротностью
     
     Квантовая электроника, 3:3 (1976),  628–629
148. Спектроскопические свойства скандийсодержащих гранатов, активированных неодимом
     
     Квантовая электроника, 3:3 (1976),  618–621
149. Центры окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого и иттрий-эрбий-алюминиевого гранатов
     
     Квантовая электроника, 3:3 (1976),  589–594
150. Диэлектрические и электрооптические свойства кристаллов ниобата бария – натрия – калия; генерация второй гармоники
     
     Квантовая электроника, 2:3 (1975),  525–528
151. Ниобат бария-натрия-калия – перспективный материал для нелинейной оптики
     
     Докл. АН СССР, 218:6 (1974),  1317–1318
152. Лазер на кристалле CaF₂–Er³⁺ при комнатной температуре
     
     Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2633–2635
153. Индуцированное излучение ионов Er³⁺ в кристаллах иттрий-алюминиевого граната на длине волны 2,94 мкм
     
     Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1867–1869
154. Спектроскопические свойства и генерация $\mathrm{Nd}^{3+}$ в кристаллах $\mathrm{ZrO}_2$ и $\mathrm{HfO}_2$
     
     Докл. АН СССР, 199:6 (1971),  1282–1283
155. Рентгенолюминесценция ионов редкоземельных элементов в кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
     
     Докл. АН СССР, 188:6 (1969),  1258–1260
156. Два вида центров люминесценции марганца в фазе кадмий – литий-ортосиликата
     
     Докл. АН СССР, 121:3 (1958),  507–510


157. Памяти Вячеслава Петровича Макарова (14 февраля 1938 г. – 6 августа 2019 г.)
     
     Квантовая электроника, 49:9 (2019),  894
158. Памяти Виктора Георгиевича Веселаго
     
     УФН, 189:3 (2019),  335–336
159. Митрофан Федорович Стельмах
     
     Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1179
160. Памяти Михаила Яковлевича Щелева
     
     Квантовая электроника, 46:11 (2016),  1066
161. К 100-летию Александра Михайловича Прохорова
     
     Квантовая электроника, 46:7 (2016),  672–674
162. Памяти Фёдора Васильевича Бункина
     
     УФН, 186:7 (2016),  799–800
163. Евгений Михайлович Дианов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 186:1 (2016),  111–112
164. Памяти Александра Алексеевича Маненкова (02.01.1930 – 26.03.2014)
     
     Квантовая электроника, 44:6 (2014),  612
165. Памяти Тасолтана Тазретовича Басиева
     
     Квантовая электроника, 42:4 (2012),  376
166. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 181:1 (2011),  115–116
167. К 80-летию А. А. Маненкова
     
     Квантовая электроника, 40:2 (2010),  188
168. Николай Васильевич Карлов (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:10 (2009),  1141–1142
169. Федор Васильевич Бункин (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 179:1 (2009),  109–110
170. Памяти Сергея Ивановича Яковленко
     
     Квантовая электроника, 37:2 (2007),  204
171. А. М. Прохоров — основатель Института общей физики
     
     УФН, 177:6 (2007),  684–689
172. Евгений Михайлович Дианов
     
     Квантовая электроника, 36:1 (2006),  94
173. Памяти Александра Михайловича Прохорова
     
     УФН, 172:7 (2002),  841–842
174. Игорь Ильич Собельман (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 167:3 (1997),  343–344
175. Евгений Михайлович Дианов
     
     Квантовая электроника, 23:1 (1996),  94
176. Алексей Михайлович Бонч-Бруевич (к 80-летию со дня рождения)
     
     УФН, 166:6 (1996),  693–694
177. Александр Михайлович Прохоров (к семидесятипятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 18:7 (1991),  895–896
178. Александр Иванович Барчуков (13.03.1920 г.–10.11.1980 г.) (к семидесятилетию со дня рождения)
     
     Квантовая электроника, 17:4 (1990),  528